半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体装置，该半导体装置包括基底、多个第一图案以及多个第二图案。多个第一图案与多个第二图案设置在基底上，相互平行且交替地沿着一第一方向设置。多个第一图案与多个第二图案分别具有相对的第一端与第二端，各第一图案的第一端具有一第一突出部，各第二图案的第二端具有一第二突出部，第一突出部皆朝向第二方向延伸，第二突出部皆朝向相对于第二方向的第三方向延伸，并且第二方向以及第三方向系不同于第一方向。藉此，本实用新型即可利用自对准双重图案化制作工艺配合图案化掩膜层来形成布局相对密集且尺寸相对微小的特定图案，以利于后续组件制作工艺的进行。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021018280.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-05
授权号 ：
CN212085005U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
张钦福冯立伟童宇诚
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202021018280.6
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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