半导体装置及半导体存储装置
实质审查的生效
摘要
实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置包括：氧化物半导体层；栅极电极；栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间；第1电极，电连接在氧化物半导体层的第1位置；第2电极，电连接在氧化物半导体层的相对于第1位置位于第1方向的第2位置；第1导电层，设置在氧化物半导体层与第1电极之间、及氧化物半导体层与第2电极之间的至少任一位置，且含有氧(O)及氮(N)中的至少任一元素、第1金属元素、以及与第1金属元素不同的第1元素；以及第2导电层，设置在氧化物半导体层与第1导电层之间，且含有与第1金属元素及第1元素不同的第2元素、及氧(O)；栅极电极的隔着栅极绝缘层而与氧化物半导体层对向的部分的第1方向的位置位于第1位置与第2位置之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267728A
申请号 ：
CN202110220032.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-02-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
片冈淳司上田知正郑述述齐藤信美池田圭司
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林勳
优先权 ：
CN202110220032.2
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/786 H01L27/108
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/417
申请日 : 20210226
申请日 : 20210226
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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