半导体装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体装置。该半导体装置备有导通时的电容和截止时的电容不同的第一电容机构和第二电容机构。并且，通过使第一电容机构的一个电极的电位和第二电容机构的一个电极的电位从第一电位变为第二电位，来扩大输入到第一电容机构的另一电极的电位和输入到第二电容机构的另一电极的电位的电位差，以比较输入到第一电容机构的另一电极的电位和输入到第二电容机构的另一电极的电位。可以提高判断规定的输入电位比参考电位高还是低时的精度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832021A
申请号 ：
CN200510133835.5
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田光一
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510133835.5
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00 G11C11/401 G11C11/409 H01L27/105
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006987706
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利申请号 : 2005101338355
公开日 : 20060913
号牌文件序号 : 101006987706
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利申请号 : 2005101338355
公开日 : 20060913
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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