半导体存储装置
授权
摘要
本申请公开一种半导体存储装置，能够减小位线栅极的电荷造成半导体存储装置电性毁损的几率。半导体存储装置，包括：衬底；位于所述衬底表面的接触窗，所述接触窗暴露所述衬底内部；位于所述接触窗内，并突出于所述衬底上表面的堆叠结构；位于所述堆叠结构的侧壁表面的侧墙，所述侧墙至少包括：第一子侧墙，位于所述堆叠结构的侧壁表面；第二子侧墙，位于所述第一子侧墙的表面；第三子侧墙，至少部分位于所述第二子侧墙表面，其中所述的第三子侧墙是藉由第二子侧墙通过氮化处理得到；所述第一子侧墙与第三子侧墙部分相连。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123046574.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216624281U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
陈敏腾
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202123046574.7
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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