用于将电子部件或类似部件集成至衬底中的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及用于将电子部件(8)或类似部件集成至一个衬底(1)上的方法，具有以下方法步骤：在衬底(1)的正面形成一个介电绝缘层(2、3、4)；从衬底(1)的背面将衬底(1)的一个区域完全地反向蚀刻以形成一个空腔(6)；在衬底(1)的背面上以均匀的厚度形成一个光刻胶层(7)；将电子部件(8)设置在在空腔(6)中形成的光刻胶层(7)上，用于将电子部件(8)粘附在该光刻胶层上；去除形成的、在电子部件(8)在空腔(6)的光刻胶层(7)上粘附的区域之外的光刻胶层(7)；以及在衬底(1)的背面上形成固定层(9)，用于将电子部件(8)固定在衬底(1)的空腔(6)中。
基本信息
专利标题 ：
用于将电子部件或类似部件集成至衬底中的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822339A
申请号 ：
CN200610008557.5
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
穆杰塔巴·约达基
申请人 ：
ATMEL德国有限公司
申请人地址 ：
德国海尔布隆
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
曾立
优先权 ：
CN200610008557.5
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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