晶体管、其制造方法及电光学装置用基板
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种晶体管，具备绝缘基板(10)，在绝缘基板(10)上形成的、包含沟道区(100)和源极及漏极区(40a、40b)的半导体膜，在沟道区(100)上设置的栅电极(32)。而且，半导体膜，具备在所述沟道区(100)和所述源极及极漏区(40a、40b)之间，分别低浓度注入杂质后构成的低浓度区域(70a、70b)；源极及漏极区(40a、40b)，与低浓度区域(70a、70b)相比，包含高浓度注入杂质的高浓度区域；低浓度区域(70a、70b)的至少一部分，沿着在绝缘基板(10)上形成的槽(10a、10b)的内壁面形成。提供在具备耐压性的同时，还能细微化的晶体管、其制造方法及电光学装置用基板。
基本信息
专利标题 ：
晶体管、其制造方法及电光学装置用基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841773A
申请号 ：
CN200610051595.9
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛田浩行
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610051595.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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