半导体装置及半导体装置中的开口结构
授权
摘要
本发明提供一种半导体装置及半导体装置中的开口结构，特别涉及一种改善阶梯覆盖率的半导体装置中的开口结构。此开口结构包括一介电层，位于一基底上方且具有至少一介层开口，以露出基底。其中介层开口的上半部为一阶梯型部，而其下半部相对于介电层为一凹面轮廓部。本发明所述半导体装置及半导体装置中的开口结构，可改善金属阶梯覆盖率，且进一步改善装置的可靠度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置中的开口结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1917201A
申请号 ：
CN200610058530.7
公开（公告）日 ：
2007-02-21
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏怡年谢志宏黄震麟林俊成谢静华眭晓林
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610058530.7
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2008-09-17 ：
授权
2007-04-18 ：
实质审查的生效
2007-02-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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