一种半导体桥开口封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体桥开口封装结构，涉及半导体封装领域。一种半导体桥开口封装结构包括半导体桥芯片，引线，塑封材料，粘合剂，第一焊盘和第二焊盘。所述半导体桥芯片通过粘合剂粘接在第一焊盘上表面。半导体桥芯片上层包含金属电极和桥区。金属电极通过引线与第二焊盘连接获取电信号，其上表面的焊点远离桥区。塑封材料将半导体桥芯片的部分区域，引线，第一焊盘和第二焊盘封装在一起，使桥区裸露而焊点和引线被完全封装。本实用新型的封装结构解决了半导体桥引线保护的问题，同时可保证反应桥区外露。封装之后的半导体桥芯片可作为一个表贴元器件，使用方便。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体桥开口封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920689267.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN210110750U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
张威李宋
申请人 ：
北京足智科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区大钟寺东路9号1幢B座1层119-84室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920689267.4
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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