照射形状的测量方法、掩模
授权
摘要
一种照射形状的测量方法，包含以下步骤：将主尺标记(32)按照既定排列依序曝光于基板上，然后将以既定排列配置的多个主尺标记(32)构成的基准格子，形成于基板上的至少一个照射区域内；将具有在照射区域内以既定排列配置的多个副尺标记(34)的被测量照射，透过投影光学系统曝光于基板上；测量相邻的主尺标记(32)彼此的相对位置关系；测量主尺标记(32)与副尺标记(34)的偏移量；及根据相对位置关系来校正基准格子，且从校正后的基准格子与偏移量算出被测量照射的照射形状。
基本信息
专利标题 ：
照射形状的测量方法、掩模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101040367A
申请号 ：
CN200680001029.5
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
近藤信二郎
申请人 ：
尼康股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200680001029.5
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F1/08
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2009-02-04 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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