离子导体
授权
摘要
本发明提供了一种材料，其以高离子传导率传导质子或氧化物离子并且耐湿性和耐还原性优异，其中将式(1)代表的钙钛矿氧化物用作离子导体：BaZraCebM1cL1dO3－α…(1) (其中M1是选自稀土元素，In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少一种元素，L1是选自P、B和N中的至少一种元素，a、b、c、d和α满足：0≤a＜1.2，0＜b＜1.2，0＜c＜1.2，0.9＜a+b+c＜1.2，0＜d＜0.1和0＜α＜3)。
基本信息
专利标题 ：
离子导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142150A
申请号 ：
CN200680008526.8
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黑羽智宏谷口升
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200680008526.8
主分类号 ：
C04B35/00
IPC分类号 ：
C04B35/00 C04B35/50 G01N27/41 G01N27/416
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
法律状态
2009-09-09 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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