高剥除速率的下游腔室
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摘要
一种气体腔室(400)包括形成空腔(416)的上(402)和下(404)腔体、晶圆(420)的加热卡盘(430)、远端的气体源(440)和排气单元(450)。气体通过注入器(410)内的通道(412)被注入到空腔(416)中。每个通道都具有多个段，这些段相对彼此弯曲的角度足以基本上防止了进入通道的光线不经过反射就射出通道。通道(412)在靠近卡盘(430)的端点处具有漏斗形的管口。注入器(410)还具有热膨胀减轻槽(716)和在注入器(410)与腔室和气体源(440)的配合表面的小间隙。注入器(410)的温度由冷却通道(412)中的冷却液体以及注入器(410)中的容器中的电加热器控制。上腔体(402)为漏斗形并在靠近卡盘(430)的上腔体(402)端部向下弯曲。
基本信息
专利标题 ：
高剥除速率的下游腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101589172A
申请号 ：
CN200680019306.5
公开（公告）日 ：
2009-11-25
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
I-Y·王J·W·温妮泽克D·J·库珀伯格E·A·埃德尔伯格R·P·舍比
申请人 ：
拉姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余 刚
优先权 ：
CN200680019306.5
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23F1/00 H01L21/306 C23F1/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2013-10-23 ：
授权
2010-01-20 ：
实质审查的生效
2009-11-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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