一种发光二极管的晶片
专利权的终止
摘要
本实用新型是一种发光二极管的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的N层和P层，以及给P层和N层提供电源的P层电极和N层电极，其特征在于：所述P层上开设有字母“N”形状的凹槽，该凹槽由P层顶面深入至N层顶面，N层电极嵌于凹槽内并且N层电极上顶面伸出P层，下底面与N层接触；在N层电极与P层之间填充有绝缘层，P层电极位于N层电极拐角之间呈三角形覆盖在P层上，而绝缘层可由导热材料制成，因此增大了电极与P层的接触面积，使电流分布更加均匀，因此可以提高发光效率，同时也增加了散热面积，散热效果好。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管的晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720053762.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-07-04
授权号 ：
CN201069779Y
授权日 ：
2008-06-04
发明人 ：
樊邦弘
申请人 ：
鹤山丽得电子实业有限公司
申请人地址 ：
529728广东省鹤山市共和镇祥和路301号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200720053762.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2013-08-21 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101508925404
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200537623
申请日 : 20070704
授权公告日 : 20080604
终止日期 : 20120704
号牌文件序号 : 101508925404
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200537623
申请日 : 20070704
授权公告日 : 20080604
终止日期 : 20120704
2008-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
