一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板,MOSFET三极管焊盘包含两个矩形小焊盘4和一个方形大焊盘1,在方形大焊盘1外围增加一圈散热过孔2,该孔为通孔,孔内镀铜。散热过孔2的信号属性与方形大焊盘1相同。用铜箔3将散热过孔2与方形大焊盘1相连,便于MOSFET三极管产生的热量更好的从方形大焊盘1传送到散热过孔2,再由散热过孔2将热量散发到电路板背面。实施本实用新型的电路板,MOSFET三极管所产生的大量热量除在周边散开外,也可通过方形大焊盘外围增设的一圈散热过孔将热量散发到电路板背面,大大加快了散热的速度和面积,从而带来更好的散热效果。

基本信息
专利标题 :
一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820137357.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-09-20
授权号 :
CN201298958Y
授权日 :
2009-08-26
发明人 :
张瑞光付威
申请人 :
深圳市神舟电脑股份有限公司
申请人地址 :
518112广东省深圳市龙岗区坂雪岗工业区新天下工业城
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820137357.4
主分类号 :
H05K1/02
IPC分类号 :
H05K1/02  H05K1/11  
法律状态
2018-09-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H05K 1/02
申请日 : 20080920
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20170920
2015-10-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101721953317
IPC(主分类) : H05K 1/02
专利号 : ZL2008201373574
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市神舟电脑股份有限公司
变更后权利人 : 昆山神舟电脑有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518112 广东省深圳市龙岗区坂雪岗工业区新天下工业城
变更后权利人 : 215316 江苏省昆山市玉山镇339省道西侧,元丰路南侧
登记生效日 : 20150918
2009-08-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332