修整装置和包括该装置的晶片抛光设备
授权
摘要
根据本发明的实施例涉及用于清洁附连到下表面板的抛光垫的修整装置，该修整装置包括：刷扫部分，其包括刷子；清洁溶液喷射单元，其包括喷射喷嘴，用于对抛光垫喷射清洁溶液；和抽吸单元，其包括抽吸入口，用于抽吸在清洁溶液喷射单元喷射清洁溶液时所产生的颗粒，其中，刷扫单元、清洁溶液喷射单元和抽吸单元彼此附连并且一致地在抛光垫上方摆动。
基本信息
专利标题 ：
修整装置和包括该装置的晶片抛光设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108352311A
申请号 ：
CN201680062929.4
公开（公告）日 ：
2018-07-31
申请日 ：
2016-01-28
授权号 ：
CN108352311B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李承源
申请人 ：
爱思开矽得荣株式会社
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
朱立鸣
优先权 ：
CN201680062929.4
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/02 H01L21/306 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20160128
申请日 : 20160128
2018-07-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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