ZQ校准方法和执行该方法的存储器器件
授权
摘要
被配置为执行ZQ校准方法的存储器器件可以包括共享连接到ZQ引脚的电阻器的第一裸芯和第二裸芯。第一裸芯可以被配置为响应于从存储器器件外部施加的ZQ校准命令，使用电阻器执行第一校准操作。第一裸芯可以被配置为在第一校准操作结束之后生成ZQ标志信号以及执行第二校准操作。第二裸芯可以被配置为响应于ZQ标志信号执行第一校准操作并在第二裸芯的第一校准操作结束之后执行第二校准操作。
基本信息
专利标题 ：
ZQ校准方法和执行该方法的存储器器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108133724A
申请号 ：
CN201711202968.2
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2017-11-27
授权号 ：
CN108133724B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
田周鄠崔训对
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN201711202968.2
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20171127
申请日 : 20171127
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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