半导体光调制元件
授权
摘要
本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。
基本信息
专利标题 ：
半导体光调制元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109690392A
申请号 ：
CN201780056209.1
公开（公告）日 ：
2019-04-26
申请日 ：
2017-09-13
授权号 ：
CN109690392B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
小木曾义弘马渡宏泰菊池顺裕
申请人 ：
日本电信电话株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吕琳
优先权 ：
CN201780056209.1
主分类号 ：
G02F1/025
IPC分类号 ：
G02F1/025 G02F1/017
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的，例如，PN、PIN结
G02F1/025
在光导设备中的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/025
申请日 : 20170913
申请日 : 20170913
2019-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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