用于三维半导体结构的检验的缺陷发现及配方优化
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摘要
本文中描述用于发现掩埋于三维半导体结构内的所关注缺陷DOI及配方优化的方法及系统。通过存储与受测量的所述半导体结构的总深度的一子组相关联的图像而减小经受缺陷发现及验证的半导体晶片的体积。记录与一或多个聚焦平面或聚焦范围处的缺陷位置相关联的图像片块。基于以下各项中的任一者而减少所考虑光学模式的数目:一或多个所测量晶片级缺陷图征与一或多个预期晶片级缺陷图征的比较、所测量缺陷信噪比及无需逆向处理而验证的缺陷。此外,采用经验证缺陷及所记录图像来训练扰乱筛选程序且优化测量配方。将所述经训练扰乱筛选程序应用于缺陷图像以选择最优光学模式来用于生产。
基本信息
专利标题 :
用于三维半导体结构的检验的缺陷发现及配方优化
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109964116A
申请号 :
CN201780071387.1
公开(公告)日 :
2019-07-02
申请日 :
2017-11-30
授权号 :
CN109964116B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
S·巴塔查里亚D·夏尔马C·马厄华波P·梅斯热R·达南
申请人 :
科磊股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
刘丽楠
优先权 :
CN201780071387.1
主分类号 :
G01N21/95
IPC分类号 :
G01N21/95 G01N21/88 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2022-05-17 :
授权
2019-12-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/95
申请日 : 20171130
申请日 : 20171130
2019-07-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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