包括可变电阻材料层的存储器件
授权
摘要
提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U……(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
基本信息
专利标题 ：
包括可变电阻材料层的存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108666417A
申请号 ：
CN201810257802.9
公开（公告）日 ：
2018-10-16
申请日 ：
2018-03-27
授权号 ：
CN108666417B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
安东浩吴哲朴淳五堀井秀树
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN201810257802.9
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 G11C13/00
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20180327
申请日 : 20180327
2018-10-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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