一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法
授权
摘要
一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术RC‑IGBT器件中存在的问题，本发明提供一种新型RC‑IGBT的器件结构及其制造方法，以在有效抑制器件的开启电压折回现象(snap back)的基础上，改善器件内部电流分布的均匀性，减低器件的导通损耗，提升器件的可靠性。本发明提供的技术方案是在n型场截止层的内部设n‑型缓冲层，所述n‑型缓冲层位于n+阴极区之上，且所述n‑型缓冲层的峰值掺杂浓度低于所述n型场截止层的峰值掺杂浓度。
基本信息
专利标题 ：
一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109860284A
申请号 ：
CN201910069241.4
公开（公告）日 ：
2019-06-07
申请日 ：
2019-01-24
授权号 ：
CN109860284B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
单建安冯浩袁嵩
申请人 ：
中山汉臣电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
袁燕清
优先权 ：
CN201910069241.4
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-05-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/739
登记生效日 : 20220426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中山汉臣电子科技有限公司
变更后权利人 : 安建科技（深圳）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦
登记生效日 : 20220426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中山汉臣电子科技有限公司
变更后权利人 : 安建科技（深圳）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦
2019-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20190124
申请日 : 20190124
2019-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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