阵列基板及其制备方法
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摘要
本申请涉及一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括：基板；第一电容极板，位于基板上；栅电极，位于基板上；第一栅绝缘层，覆盖第一电容极板以及栅电极，介电常数为ε1；第二栅绝缘层，覆盖第一栅绝缘层，介电常数为ε2；半导体有源层，位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧；第二电容极板，也位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧，且与第一电容极板相对设置；ε1>ε2，且第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，第二栅绝缘层与半导体有源层含有至少一种相同的原子。本申请第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，使得第一栅绝缘层与第二栅绝缘层形成共价键，进而可以更加有效地提高存储电容的整体介电常数。
基本信息
专利标题 ：
阵列基板及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110164878A
申请号 ：
CN201910494975.7
公开（公告）日 ：
2019-08-23
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN110164878B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
夏玉明卓恩宗
申请人 ：
惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司;滁州惠科光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊文杰
优先权 ：
CN201910494975.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/51 H01L21/77
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20190610
申请日 : 20190610
2019-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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