阵列基板及其制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法。所述阵列基板的制备方法中包括以下步骤：在一衬底层上依次形成遮光材料层、缓冲材料层和有源材料层；通过同一道半色调掩膜工艺将所述遮光材料层、所述缓冲材料层和所述有源材料层图案化，形成有源层、缓冲层和遮光层；通过薄膜晶体管制程在所述衬底层上制备导电膜层和绝缘膜层。本发明中所提供的阵列基板及其制备方法通过一道黄光制程便可将遮光层、缓冲层和有源层三层膜层一起图案化，相交现有技术大大减少了使用黄光制程的次数。

基本信息

专利标题：

阵列基板及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114284151A

申请号：

CN202111566795.9

公开（公告）日：

2022-04-05

申请日：

2021-12-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

冯华均周星宇

申请人：

深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请人地址：

广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司

代理人：

赵伟

优先权：

CN202111566795.9

主分类号：

H01L21/34

IPC分类号：

H01L21/34 H01L29/786

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/34

具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件

法律状态

2022-04-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/34
申请日 : 20211220

2022-04-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载