TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板
授权
摘要
本发明提供了一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，主要包括：在铜电极经刻蚀形成源漏极金属膜层后，对后续剥离工艺分两步进行：第一步对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶进行干法剥离，以去除部分所述光刻胶；第二步在对所述源漏极金属膜层上的剩余所述光刻胶进行湿法剥离，以将剩余所述光刻胶剥离，形成源漏极。该方法避免了对铜电极的腐蚀，进一步提升了TFT阵列基板的导电性能。
基本信息
专利标题 ：
TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110854068A
申请号 ：
CN201911028028.5
公开（公告）日 ：
2020-02-28
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN110854068B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
柴国庆
申请人 ：
深圳市华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄灵飞
优先权 ：
CN201911028028.5
主分类号 ：
H01L21/77
IPC分类号 ：
H01L21/77 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-02-26 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/77
变更事项 : 申请人
变更前 : 深圳市华星光电技术有限公司
变更后 : TCL华星光电技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
变更后 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
变更事项 : 申请人
变更前 : 深圳市华星光电技术有限公司
变更后 : TCL华星光电技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
变更后 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
2020-03-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/77
申请日 : 20191028
申请日 : 20191028
2020-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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