一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法
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摘要
本发明公开一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法，本发明测得的本征沉积速率与气相中间产物无关，代表的是源气体自身的沉积速率，沉积速率的大小通过实验前后多孔陶瓷片的质量差来确定，成本低。通过简单的数据处理就能得到前驱体的本征沉积速率，操作方便，快捷高效。
基本信息
专利标题 ：
一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110261256A
申请号 ：
CN201910502911.7
公开（公告）日 ：
2019-09-20
申请日 ：
2019-06-11
授权号 ：
CN110261256B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张丹李爱军方文放
申请人 ：
上海大学
申请人地址 ：
上海市宝山区上大路99号
代理机构 ：
上海市海华永泰律师事务所
代理人 ：
包文超
优先权 ：
CN201910502911.7
主分类号 ：
G01N5/02
IPC分类号 ：
G01N5/02 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N5/00
用称量的方法分析材料，例如称量从气体或液体分离出的微粒
G01N5/02
利用物质吸收或吸附某些组分并测定吸附剂的重量变化，例如测定含水量
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 5/02
申请日 : 20190611
申请日 : 20190611
2019-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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