一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法
授权
摘要
本发明公开一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法,本发明测得的本征沉积速率与气相中间产物无关,代表的是源气体自身的沉积速率,沉积速率的大小通过实验前后多孔陶瓷片的质量差来确定,成本低。通过简单的数据处理就能得到前驱体的本征沉积速率,操作方便,快捷高效。
基本信息
专利标题 :
一种测量CVD/CVI工艺前驱体本征沉积速率的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110261256A
申请号 :
CN201910502911.7
公开(公告)日 :
2019-09-20
申请日 :
2019-06-11
授权号 :
CN110261256B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
张丹李爱军方文放
申请人 :
上海大学
申请人地址 :
上海市宝山区上大路99号
代理机构 :
上海市海华永泰律师事务所
代理人 :
包文超
优先权 :
CN201910502911.7
主分类号 :
G01N5/02
IPC分类号 :
G01N5/02 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N5/00
用称量的方法分析材料,例如称量从气体或液体分离出的微粒
G01N5/02
利用物质吸收或吸附某些组分并测定吸附剂的重量变化,例如测定含水量
法律状态
2022-04-05 :
授权
2019-10-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 5/02
申请日 : 20190611
申请日 : 20190611
2019-09-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110261256A.PDF
PDF下载