一种液口距确定方法、装置及单晶炉
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摘要

本发明提供了一种液口距确定方法、装置及单晶炉,方法包括:获取目标图像;所述目标图像包括:导流筒的下沿口的第一子图像和在熔硅液面上的所述导流筒的下沿口倒影的第二子图像;在所述目标图像中确定所述导流筒的下沿口的边界点,并确定所述边界点对应的倒影点;确定所述边界点和所述边界点对应的倒影点之间的像素距离;根据所述像素距离及预设系数,确定所述导流筒的下沿口至所述熔硅液面的液口距。本申请中,只需通过获取目标图像,在目标图像中测量导流筒的下沿口的边界点与其对应的倒影点之间的像素距离,根据像素距离以及预设系数即可以得到导流筒的下沿口至熔硅液面的液口距,确定的液口距准确性高,且操作简单。

基本信息
专利标题 :
一种液口距确定方法、装置及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112281208A
申请号 :
CN201910662728.3
公开(公告)日 :
2021-01-29
申请日 :
2019-07-22
授权号 :
CN112281208B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
郭力李侨徐战军
申请人 :
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 :
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 :
莎日娜
优先权 :
CN201910662728.3
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-02-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20190722
2021-01-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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