复合材料及其制备方法和发光二极管
授权
摘要
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法和发光二极管。本发明提供的复合材料,包括:纳米金属氧化物和聚合物,聚合物含有若干羟基,部分或全部羟基以氢键连接纳米金属氧化物。当该复合材料应用于制备发光二极管中的电子传输层时,其能有效控制电子传输速率,平衡电子传输速率和空穴传输速率,提高电子和空穴在量子点发光层的复合效率和发光纯度,提高器件外量子效率。
基本信息
专利标题 :
复合材料及其制备方法和发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112885981A
申请号 :
CN201911197122.3
公开(公告)日 :
2021-06-01
申请日 :
2019-11-29
授权号 :
CN112885981B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
宋音洁曹蔚然钱磊
申请人 :
TCL集团股份有限公司
申请人地址 :
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 :
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 :
张杨梅
优先权 :
CN201911197122.3
主分类号 :
H01L51/56
IPC分类号 :
H01L51/56 H01L51/54 H01L51/50
相关图片
法律状态
2022-04-29 :
授权
2022-04-19 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 51/56
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-06-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2021-06-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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