复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法

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摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒和包覆在所述二氧化铈纳米颗粒表面的二氧化钛层。该复合材料以宽带隙半导体二氧化钛包覆带隙相对较窄的半导体二氧化铈，不仅提高了核壳结构纳米晶的稳定性，而且有利于电子的传输，而二氧化钛层可以填补二氧化铈纳米颗粒的表面氧空位，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，从而进一步提高了电子传输性能。

基本信息

专利标题：

复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113045211A

申请号：

CN201911383923.9

公开（公告）日：

2021-06-29

申请日：

2019-12-28

授权号：

CN113045211B

授权日：

2022-04-19

发明人：

何斯纳吴龙佳吴劲衡

申请人：

TCL集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

方良

优先权：

CN201911383923.9

主分类号：

C03C17/00

IPC分类号：

C03C17/00 C01G23/053 C01F17/235 C01F17/10 H01L51/50 H01L51/56 C09K11/78 B82Y30/00 B82Y40/00