紫外发光芯片、其制备方法及应用
授权
摘要
本发明公开一种紫外发光芯片、其制备方法及应用，该紫外发光芯片从下到上依次包括：衬底、缓冲层、电子传输层、紫外光有源区、电子阻挡层、空穴传输层和p型层；其中，所述紫外光有源区在正向电流注入下能够同时发射深紫外光和近紫外光。本发明提供的方案可以解决现有技术中的缺少一种使用时对于使用者来说相对安全的单芯片紫外发光装置的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
紫外发光芯片、其制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112018219A
申请号 ：
CN202010925500.1
公开（公告）日 ：
2020-12-01
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
CN112018219B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
贺龙飞吴华龙张康何晨光刘云洲赵维陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202010925500.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00 A61L2/10 A61L9/20 C02F1/32
相关图片
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-12-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20200904
申请日 : 20200904
2020-12-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112018219A.PDF
PDF下载
