一种发光芯片及其制备方法
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摘要
本发明提供了一种发光芯片及其制备方法，其中，所述发光芯片包括衬底；依次设置在所述衬底之上的电流扩散层、P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述N型半导体层、所述发光层和所述P型半导体层均部分覆盖所述电流扩散层设置在所述电流扩散层上形成有台阶面；在所述台阶面上设置有P电极；在所述N型半导体层之上设置有至少一层ITO阻挡层；以及在所述至少一层ITO阻挡层之上设置有N电极。本发明的发光芯片利用了锡膏中游离的金属单质在ITO阻挡层中的渗透能力弱的特性，通过在N电极和N型半导体层之间设置至少一层ITO阻挡层阻挡游离的金属单质渗透到N型半导体层，发光芯片的电压更加稳定，改善了发光芯片的性能，延长了发光芯片的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种发光芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451469A
申请号 ：
CN202010475808.0
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN113451469B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王怀超杨然翔王沛占盛东洋朱德盼
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谢松
优先权 ：
CN202010475808.0
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20200529
申请日 : 20200529
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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