一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置。发光芯片制造方法包括：提供一外延片，外延片包括衬底和外延层，外延层形成有台阶结构；在外延片上沉积绝缘层；图案化绝缘层，使对应于发光芯片的第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面，以及形成导电通道，第一导电通道远离衬底的一端位于第一电极对应的电极设置面内；在对应于第一电极和第二电极的区域沉积形成第一电极和第二电极。该发光芯片制造方法使得外延片满足了在不影响转移和使用的前提下同时沉积形成第一电极和第二电极的条件，有利于简化发光芯片的电极制作流程，且利于降低金属材料的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429966A
申请号 ：
CN202111529623.4
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴广超马非凡曹进赵世雄王子川
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李发兵
优先权 ：
CN202111529623.4
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/62
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/15
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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