紫外发光二极管外延片、其制备方法及应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种紫外发光二极管外延片、其制备方法及应用。所述紫外发光二极管外延片包括N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层；该电子阻挡层包括沿远离有源层的方向依次设置的第一子层、第二子层和第三子层；该第一子层、第二子层、第三子层分别是高温H2/NH3气氛下生长的高Al组分层、变温条件下生长的预通MgN层、低温H2/N2/NH3气氛下生长的P‑AlGaN层。本发明通过在紫外发光二极管外延片的结构引入新型的电子阻挡层结构，既可以明显增强其限制电子溢流的功能，同时还可以有效提高空穴掺杂浓度，从而显著提高紫外发光二极管的内量子效率。
基本信息
专利标题 ：
紫外发光二极管外延片、其制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335275A
申请号 ：
CN202111647834.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔楠
申请人 ：
材料科学姑苏实验室;苏州乐琻半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路388号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202111647834.8
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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