复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
授权
摘要
本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括三氧化钼纳米颗粒以及掺杂在所述三氧化钼纳米颗粒中的镁元素和镍元素。该复合材料中Mg‑Ni共掺杂后所形成的受主能级提高更多，受主能级的提高可以降低MoO3的HOMO能级，最终复合材料的空穴载流子浓度得到了提高，电阻率降低，从而空穴传输性能得到显著提高，将该复合材料用于量子点发光二极管，可以有效提高器件的显示性能。
基本信息
专利标题 ：
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113054119A
申请号 ：
CN201911383879.1
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-12-28
授权号 ：
CN113054119B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
方良
优先权 ：
CN201911383879.1
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-05-06 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 51/50
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20191228
申请日 : 20191228
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
