一种紫外发光二极管及其制备方法和应用

授权

摘要

本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法和应用。本发明的紫外发光二极管，包括从下到上依次层叠设置的PSS衬底、GaN缓冲层、u‑GaN外延层、n‑GaN接触层、V‑pits层、多量子阱有源区、u‑AlGaN垒层、p⁺‑GaN、p型电子阻挡层、p‑GaN接触层。本发明通过具有V型结构的V‑pits层和特殊的掺杂方式的P型层，有效减少了p‑GaN外延层中未激活的束缚空穴对发光器件的光吸收，进而提高紫光LED光外量子效率；在P型层与V‑pits层的共同作用下，通过协同增效，使得紫外发光二极管具有优异的发光强度。

基本信息

专利标题：

一种紫外发光二极管及其制备方法和应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113013303A

申请号：

CN202110144385.9

公开（公告）日：

2021-06-22

申请日：

2021-02-02

授权号：

CN113013303B

授权日：

2022-06-03

发明人：

贾传宇

申请人：

东莞理工学院

申请人地址：

广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：

陈嘉毅

优先权：

CN202110144385.9

主分类号：

H01L33/22

IPC分类号：

H01L33/22 H01L33/14 H01L33/06 H01L33/04 H01L33/00

法律状态

2022-06-03 ：

授权

2021-07-09 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 33/22
申请日 : 20210202

2021-06-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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