一种半导体晶圆激光解键合光学装置
授权
摘要
本发明涉及激光加工技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆激光解键合光学装置。所述半导体晶圆激光解键合装置包括：光学机构、光斑监测机构、加工平台及运动控制机构；光学机构包括激光器、平顶光斑产生模块、整形模块、成像模块，激光器发出初始高斯光束，初始高斯光束经平顶光斑产生模块可以产生中心能量分布均匀的初始平顶光，初始平顶光经过整形模块可以形成整形平顶光，整形平顶光光斑斑形状更利于半导体晶圆解键合过程中光斑拼接，整形平顶光经过成像系统改变光斑大小，调整解键合能量密度；根据本发明提供的激光解键合光学装置，可有效降低成本并提高解键合质量及灵活性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆激光解键合光学装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111146097A
申请号 ：
CN201911219704.7
公开（公告）日 ：
2020-05-12
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN111146097B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张小军任莉娜胡辉邓正东巫礼杰卢建刚尹建刚高云峰
申请人 ：
大族激光科技产业集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区深南大道9988号
代理机构 ：
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
鲍竹
优先权 ：
CN201911219704.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 B23K26/00 B23K26/06 B23K26/073 B23K26/082 B23K26/70
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20191203
申请日 : 20191203
2020-05-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
