2bit存储器单元结构及操作方法
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摘要
本发明公开了一种2bit存储器单元结构，每个单元包含2个存储管A及A*及一个选择管，所述存储器单元能存储2bit数据，所述选择管的栅极引出形成所述存储器单元的第一字线，所述选择管的源极及漏区分别与其两侧的存储管的源极或者漏极相连，所述存储管的另外剩余的漏极或者源极分别形成存储器单元的第一位线及第二位线；所述存储器单元中的2个存储管的栅极引出形成第二字线及第三字线，所述第二字线及第三字线还连接在一起。所述的存储器单元在编程时，采用源端载流子注入的方式；在读数据时，存储管的源端电压用于屏蔽在读取存储管A时存储管A*的状态对存储管A的影响；读数据时选择管的读电压大于存储管的栅极电压，以增大读取电流。
基本信息
专利标题 ：
2bit存储器单元结构及操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111179988A
申请号 ：
CN201911231904.4
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN111179988B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
张可钢许昭昭
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦健
优先权 ：
CN201911231904.4
主分类号 ：
G11C11/40
IPC分类号 ：
G11C11/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/40
申请日 : 20191205
申请日 : 20191205
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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