一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法

授权

摘要

本发明公开了一种水平对中校准夹具，包括：若干支撑架、若干第一平衡件以及若干可为竖直状态或水平状态的测量组件，其中，所述第一平衡件设置于所述支撑架上，所述测量组件活动设置于所述支撑架上，且所述测量组件处于竖直状态时，所述测量组件以第一校准值为基准测量待测量件的第一状态，所述测量组件处于水平状态时，所述测量组件以第二校准值为基准测量待测量件的第二状态。本发明所提供的水平对中校准夹具可以确保待测量件处于水平对中状态，为后续处理工序奠定基础。

基本信息

专利标题：

一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110952134A

申请号：

CN201911311540.0

公开（公告）日：

2020-04-03

申请日：

2019-12-18

授权号：

CN110952134B

授权日：

2022-04-08

发明人：

潘浩其他发明人请求不公开姓名

申请人：

西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请人地址：

陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘长春

优先权：

CN201911311540.0

主分类号：

C30B15/12

IPC分类号：

C30B15/12 C30B15/20 C30B29/06

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

C30B15/10

承载熔融液的坩埚或容器

C30B15/12

双坩埚法

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2021-10-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : C30B 15/12
登记生效日 : 20210922
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
变更后权利人 : 西安奕斯伟材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
变更后权利人 : 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
变更事项 : 申请人
变更后权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司

2020-05-01 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C30B 15/12
申请日 : 20191218

2020-04-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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