应用于单晶炉一体式水冷套结构
授权
摘要
本实用新型是关于单晶炉辅助设备领域，特别涉及一种应用于单晶炉一体式水冷套结构。水冷套本体为由内筒及外筒组成的双层筒体结构；喉口法兰与下法兰分别焊设于水冷套本体的顶端与底端，隔水条形成的回路水道设于水冷套本体的内筒及外筒之间的腔体内，隔水条包括环形隔水条与一竖直隔水条；环形隔水条有五根，绕设于内筒外壁形成一回路水道，竖直隔水条平行于内筒轴线设于内筒。本实用新型提高了生产效率，而且提升了加工精度；由于内筒与喉口法兰、下法兰的新型结构，使得内筒环缝可以采用双面焊，成型好，焊缝质量高。
基本信息
专利标题 ：
应用于单晶炉一体式水冷套结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920409780.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-28
授权号 ：
CN210104120U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
涂瑾曹建伟傅林坚韦韬胡建荣倪军夫陈杭徐克峰
申请人 ：
浙江晶鸿精密机械制造有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
周世骏
优先权 ：
CN201920409780.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
