一种单晶炉水冷屏结构
授权
摘要
本实用新型涉及单晶材料生产技术领域，具体涉及一种单晶炉水冷屏结构。主要技术方案为：一种单晶炉水冷屏结构，包括:第一筒体、第二筒体、第一管道和第二管道；所述第二筒体套装在所述第一筒体的外侧；所述第二筒体与所述第一筒体同轴设置；所述第二筒体与所述第一筒体之间具有间隙；所述第一筒体内具有流体通道一；所述第二筒体内具有流体通道二；所述第一管道分别与所述流体通道一和所述流体通道二连通；所述第一管道分别连接在所述第一筒体和所述第二筒体的顶部；所述第二管道分别与所述流体通道一和所述流体通道二连通；所述第二管道分别连接在所述第一筒体和所述第二筒体的顶部。采用本实用新型能够改善冷却效果。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉水冷屏结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021749374.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
CN213327923U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
张鹏马伟萍乔乐刘学金杨佳辉王军张创豆欣妍
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县北工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN202021749374.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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