PN接面及包含其的半导体薄膜组件
授权
摘要
本实用新型涉及一种PN接面及包含其的半导体薄膜组件，及包含所述的半导体薄膜组件的光电感测模块及其广泛用途。所述的PN接面包含P型铜铟镓硒半导体薄膜层及N型铜铟镓硒半导体薄膜层，所述的N型铜铟镓硒半导体薄膜层由铜铟镓硒等元素构成，其中铜相较于铟的莫耳数比在1.1至1.5的范围内且具有化学式Cu(InxGa1‑x)Se2，其中x的数值在0.6至0.9的范围内。制备所述的PN接面的方法使用四元靶材、为干式制程、无须硒化处理且可将所述的PN接面制作于可挠性基板上。
基本信息
专利标题 ：
PN接面及包含其的半导体薄膜组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920451597.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-03
授权号 ：
CN210200747U
授权日 ：
2020-03-27
发明人 ：
高亮张准林于庭
申请人 ：
圣晖莱南京能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市麒麟高新技术产业开发区创研路266号7号楼辅楼1-3层
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章蕾
优先权 ：
CN201920451597.X
主分类号 ：
H01L31/032
IPC分类号 ：
H01L31/032 H01L31/0232 H01L31/103 H01L31/18 H01L21/02
法律状态
2020-03-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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