整流桥芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种整流桥芯片结构，包括衬底和分别设置在衬底上的第一整流阱区及第二整流阱区，第一整流阱区内和第二整流阱区内分别通过隐埋层构成两个二极管，通过第一整流阱区和第二整流阱区内的二极管相互配合构成整流桥，每个整流阱区内通过对构成二极管的隐埋层的复用，有效减小构成整流桥的二极管的体积。该整流桥芯片结构具有设计科学、实用性强、结构简单、使用方便的优点。
基本信息
专利标题 ：
整流桥芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920660026.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN209626218U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
姚磊
申请人 ：
无锡光磊电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市清源路20号大学科技园立业楼E栋207室
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王闯
优先权 ：
CN201920660026.7
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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