一种立体硅基模式控制器件

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摘要

本实用新型揭示了一种立体硅基模式控制器件，该一种立体硅基模式控制器件包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上铺设有第一下层波导和第二下层波导，在第一下层波导和第二下层波导上均铺设有第一中间隔离层，在第一中间隔离层上再铺设有中间波导，在中间波导上铺设第二中间隔离层，在第二中间隔离层上再铺设有第一上层波导和第二上层波导，在第一上层波导和第二上层波导上方覆盖上覆盖层，其中中间波导通过外加电压能够实现第一下层波导和第二上层波导之间任意的高阶模开关转换。本实用新型结构简单、具有易于实现、工艺成熟、尺寸结构紧密、CMOS工艺兼容性高的优点，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。

基本信息

专利标题：

一种立体硅基模式控制器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920715971.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-17

授权号：

CN209707731U

授权日：

2019-11-29

发明人：

蒋卫锋苗金烨李涛

申请人：

南京邮电大学

申请人地址：

江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司

代理人：

范丹丹

优先权：

CN201920715971.2

主分类号：

G02B6/14

IPC分类号：

G02B6/14 G02B6/12