一种碳化硅耐高温封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种碳化硅耐高温封装结构，包括铜基板、设置于铜基板上的DBC板、芯片、功率端子、信号端子及外壳，DBC板与铜基板上表面连接，芯片与DBC板的上表面连接，芯片、DBC板的上表面还设置有绝缘薄膜，绝缘薄膜上开设有芯片的电极避让孔，芯片之间借助铜片连接，功率端子包括设置于铜基板的一侧的与DBC板连接的输出端子及设置于铜基板上输出端子对称侧的输入端子，输入端子分别借助铜片与正极端子输入、负极端子输入连接，该封装结构减小了碳化硅功率模块的寄生参数，继而减小损耗，具有良好的耐高温特性，保证模块的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅耐高温封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920718754.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-17
授权号 ：
CN209626203U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
李帅白欣娇李晓波袁凤坡甘琨王广州
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郄旭宁
优先权 ：
CN201920718754.9
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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