一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构
授权
摘要
本申请提供一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构，所述底层带有凹纳米图形的LED外延结构，包括蓝宝石衬底以及位于所述蓝宝石衬底表面依次设置的缓冲层、凹型纳米图形层、非掺杂层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；其中，由于凹型纳米图形层的存在，可以释放由于GaN与蓝宝石衬底之间的晶格失配和热失配大产生的应力，减少外延缺陷，从而提高LED的晶格质量，增加LED的内量子效率。另外，凹型纳米图形层部分覆盖缓冲层，凹型纳米图形层制作过程中，采用纳米压印技术形成，压印至裸露局部缓冲层，这样能够改变从多量子阱层发出的光的方向，减少全反射，从而提高LED的外量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920904004.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN209675324U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
霍丽艳滕龙林加城谢祥彬刘兆
申请人 ：
江西乾照光电有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
温可睿
优先权 ：
CN201920904004.0
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/22 H01L33/00
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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