一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构
授权
摘要
本申请提供一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构,所述底层带有凹纳米图形的LED外延结构,包括蓝宝石衬底以及位于所述蓝宝石衬底表面依次设置的缓冲层、凹型纳米图形层、非掺杂层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层;其中,由于凹型纳米图形层的存在,可以释放由于GaN与蓝宝石衬底之间的晶格失配和热失配大产生的应力,减少外延缺陷,从而提高LED的晶格质量,增加LED的内量子效率。另外,凹型纳米图形层部分覆盖缓冲层,凹型纳米图形层制作过程中,采用纳米压印技术形成,压印至裸露局部缓冲层,这样能够改变从多量子阱层发出的光的方向,减少全反射,从而提高LED的外量子效率。
基本信息
专利标题 :
一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920904004.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-14
授权号 :
CN209675324U
授权日 :
2019-11-22
发明人 :
霍丽艳滕龙林加城谢祥彬刘兆
申请人 :
江西乾照光电有限公司
申请人地址 :
江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
温可睿
优先权 :
CN201920904004.0
主分类号 :
H01L33/12
IPC分类号 :
H01L33/12 H01L33/22 H01L33/00
法律状态
2019-11-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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