一种检测外延生长后图形偏移的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，在晶圆上形成多个当层图形；对晶圆上的多个当层图形进行外延生长，外延后的当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；利用视觉成像对位光刻机形成与A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与B对准标记对应的B套刻标记；分别量测所述A对准标记与A套刻标记之间的A套刻精度以及B对准标记与B套刻标记之间的B套刻精度；将A套刻精度与B套刻精度进行差异化比较。本发明的方法通过量测两种不同对位系统曝光后的套刻标记的矢量图，来检测晶圆上的图形是否发生位置的漂移，可以用于检测外延生长后图形偏移的方向及程度。
基本信息
专利标题 ：
一种检测外延生长后图形偏移的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267622A
申请号 ：
CN202111541427.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董俊张顾斌王雷
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202111541427.9
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L21/66 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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