高复合效率的VCSEL芯片
授权
摘要
本实用新型涉及激光芯片技术领域，尤其涉及高复合效率的VCSEL芯片，VCSEL芯片包括衬底、外延层和N‑contact，外延层包括N‑DBR、量子阱、氧化层和P‑DBR，P‑DBR、氧化层、量子阱被蚀刻至N‑DBR表面形成台面，量子阱包括多对量子阱复合层，量子阱复合层包括重叠生长的AlxGaAs势垒、InGaAs势阱和AlxGaAs势垒，P‑DBR上划分为中心区域、中间区域和边缘区域，中心区域为出光孔，P‑DBR上于中心区域对应位置生长有第一SiNx层，P‑DBR上于中间区域对应位置蒸镀有P‑contact，P‑DBR上于边缘区域对应位置生长有第二SiNx层。本实用新型的VCSEL芯片中的量子阱中的势垒具有较高的禁带宽度，容易达到晶格匹配，使得更多的电子被集中束缚在量子阱中，增大激发概率，提高复合效率，从而达到更高效率的受激辐射。
基本信息
专利标题 ：
高复合效率的VCSEL芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920912138.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN209881094U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
窦志珍曹广亮刘留苏小平
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
李欧
优先权 ：
CN201920912138.7
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187 H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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