一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化物层，对氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。之后再通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片，通过电感耦合等离子体法在LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓。蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，对LED芯片外延片采用激光切割的方式后，形成隔离槽。采用酸性溶液对隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。本申请技术方案通过在LED芯片周围形成一圈有利于出光的多层三角锥形、半圆形或球形，这样LED芯片有源区发出的光就会以更大的概率出射，进而可提升光取出效率。
基本信息
专利标题 ：
一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464714A
申请号 ：
CN202210141528.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林潇雄曹玉飞褚志强黄文光王帅
申请人 ：
聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202210141528.5
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/20 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/24
申请日 : 20220216
申请日 : 20220216
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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