一种双管芯器件

授权

摘要

本实用新型公开了一种双管芯器件。本实用新型当从漏极加压时，P‑体区扩展和N‑外延层形成耗尽层，源区底部的耗尽层和终端区的耗尽层缓变并截至于终端，从而弱化芯片边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。本实用新型将连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。通过以上改进，本实用新型的器件的击穿电压约可提高11％，导通电阻约可降低3.3％。

基本信息

专利标题：

一种双管芯器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920954924.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-24

授权号：

CN209843711U

授权日：

2019-12-24

发明人：

张雨陈虞平胡兴正刘海波

申请人：

南京华瑞微集成电路有限公司

申请人地址：

江苏省南京市江浦街道浦滨大道88号

代理机构：

南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

梁金娟

优先权：

CN201920954924.3

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088 H01L21/8234 H01L29/06