一种用于二极管的防溢胶塑封模具
授权
摘要
本实用新型系提供一种用于二极管的防溢胶塑封模具，包括下模和上模，下模上设有成型凹模腔，成型凹模腔包括一个主体成型腔和两个引脚下沉腔，两个引脚下沉腔对称设于主体成型腔的两侧，引脚下沉腔的深度为H，主体成型腔的厚度为h，H>h，引脚下沉腔包括并排设置的内下沉腔和外下沉腔，内下沉腔位于主体成型腔内，外下沉腔位于主体成型腔外。本实用新型设置容纳二极管引脚的型腔深度大于二极管塑胶体的型腔深度，使二极管引脚的底面与二极管塑胶体的底面不共面，在塑封过程中能够有效避免发生溢胶，从而确保二极管引脚的表面无包胶，能够有效提高成品二极管的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种用于二极管的防溢胶塑封模具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920970336.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-25
授权号 ：
CN210073770U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
岳中娜
申请人 ：
东莞市佳骏电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖新城大道3号A栋102房
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN201920970336.9
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
