一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，包括陶瓷底座、陶瓷底座包括发射极铜块、发射极小法兰、瓷件、集电极焊接法兰和辅助极引出管，发射极铜压块的外壁四周设置有发射极小法兰，发射极小法兰的顶端外边缘设置有瓷环，瓷环的顶端一侧面焊接有发射极法兰，瓷环的内壁设置有辅助极引出管，瓷环、辅助极引出管与发射极小法兰之间均通过金属化层连接导通。该IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构，将瓷件内壁辅助极引出管与发射极小法兰之间直接用金属化层连接导通，最终实现辅助极引出管与发射极铜块之间导通，该结构简单、连接稳定性高，且省却了焊接接线片的工序，并使内部空间扩大，装载芯片更加简单方便。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT陶瓷外壳用信号引线的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921075536.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN210272340U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
李啸琳朱萍孙小伟
申请人 ：
无锡天杨电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山区经济开发区洛社配套区东一路51号
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
明志会
优先权 ：
CN201921075536.4
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L29/417 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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