缺陷发光二极管颗粒的分离装置
授权
摘要
本实用新型提供一种缺陷发光二极管颗粒的分离装置，包括：自动光学检查仪，识别整块胶膜的正面上的缺陷发光二极管颗粒，并获取所述缺陷发光二极管颗粒的坐标；传送机构，上下翻转并传送所述整块胶膜；以及分离组件，包括驱动机构和自动顶出机构，所述自动顶出机构在所述驱动机构的驱动下移动至与所述坐标对应的位置，并通过所述胶膜的背面向所述位置的缺陷发光二极管颗粒施加顶出力，使得所述位置的缺陷发光二极管颗粒从所述胶膜上分离。与现有技术相比，本实用新型对经过自动光学检测之后的胶膜进行翻转和自动顶出，实现了对胶膜从检测、识别到缺陷剔除的自动化处理过程，提高了工作效率和生产力。
基本信息
专利标题 ：
缺陷发光二极管颗粒的分离装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921279684.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-08
授权号 ：
CN209981171U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
庄荣桂
申请人 ：
亿光电子(中国)有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区吴江经济技术开发区运西分区中山北路2135号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
骆希聪
优先权 ：
CN201921279684.8
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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