一种高导热LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高导热LED芯片，包括衬底和设于衬底表面的发光结构，还包括导热层，所述导热层设置在衬底的背面并沿着衬底的侧壁延伸到发光结构的侧壁，所述导热层的导热系数大于衬底的导热系数，发光结构产生的热量从导热层导出。本实用新型的LED芯片在保持芯片尺寸面积大小不变的情况下，可以有效的增加LED芯片使用时热传导效率，降低芯片温度、结温，从而使LED芯片不易损坏，延长寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种高导热LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921442765.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN210576004U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
崔永进邓梓阳张振健庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921442765.5
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/64
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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